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2023-04-21 09:08:33
每日熱門：Transphorm 亮相 PCIM 2023 展會：卓越的 GaN 解決方案為電動汽車系統提供電源適配器
2023-04-21 09:08:33 來源: 電子創新網
? 提供最廣泛的功率范圍：此次參展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設計將揭示 1200 V SuperGaN 器件的設計資源? 觀眾將見證 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能
(資料圖片)
Transphorm, Inc.?(納斯達克代碼：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。該公司宣布將在?PCIM 2023?展會上重點展示其在全功率范圍市場應用中不斷延伸的足跡。參展器件將展示 Transphorm 采用 GaN 功率轉換解決方案支持從低到高的各個等級功率系統的能力，呈現無可比擬的可制造性、可設計性、可驅動性和可靠性。誠邀與會者在 5 月 9 日至 11 日的活動期間蒞臨 Transphorm 在 7 號展廳的 108 號展位。
降低 BOM 成本
WT7162RHUG24A?是最近宣布與 Weltrend 半導體公司合作研發的 SuperGaN? SiP，繼在 APEC 2023 上首次亮相后，將在此展會上再次展出。它將與 Weltrend 的高效單級 65 W USB-C PD 3.0 + PPS 電源適配器參考設計一起展出。此款參考設計采用新的集成電路構建。該電路板的總峰值效率約為 94.0%，功率密度為 26 W/in3，為可編程適配器提供了一個全面的、經濟高效的解決方案。如需 SiP 樣品，請聯系?sales@weltrend.com.tw。
演示系統性能的提升
對于尋求前所未有的功率轉換性能的工程師來說，Transphorm 的器件組合提供了多種選擇。這些器件采用性能封裝，如果客戶需要插入式替換件，則采用引腳對引腳兼容的行業標準封裝。現場靜態演示將展示在現有的游戲筆記本電腦充電器中用 Transphorm FET 替換 TSMC e-mode 器件顯著提高了系統性能。
簡化 GaN 在 3 kW 逆變器系統中的使用
最新發布的 TDINV3000W050B-KIT?是一款 3.0 kW 直流-交流非隔離全橋逆變器評估板，將在此次展會首次亮相。它的作用是將 Transphorm 的 TP65H050G4WS SuperGaN FET 與 Microchip Technology 的 dsPIC33CK 數字信號控制器 (DSC) 板配對。DSC 板配備了預編程固件，有助于理解和促進廣泛工業領域和可再生能源系統中 superGaN 解決方案的開發。
促進汽車行業 GaN 解決方案的多樣化
得益于 Transphorm 的技術專長，它能夠為以汽車為主體的 GaN 功率轉換解決方案樹立關鍵的行業基準。Transphorm 率先推出符合 AEC-Q101 標準的 650 V 器件，也是唯一一家推出符合 175°C 標準的 AEC-Q101 器件的 GaN 器件制造商。此外，在 PCIM 展會上，Transphorm 將發布一年前首次展示的 1200 V GaN 器件的設計資源，打造新的里程碑。該器件將完善本就強大的 650 V 解決方案，使各種電動汽車應用發揮更大作用。
演講
在?Bodo 的電力系統會議期間，了解有關 Transphorm 的 GaN 平臺如何影響所有功率級別的電力系統的更多信息。
議題：采用 GaN HEMT 和垂直 GaN 的寬帶隙設計演講人：Philip Zuk，業務開發與營銷高級副總裁日期：5 月 10 日時間：1:05 p.m. CEST地點：Industry Stage, 7 號廳 480 號展位
一個核心平臺，涵蓋功率范圍
Transphorm 是 GaN 高功率半導體行業的領軍企業，憑借以下技術特性脫穎而出：
可制造性：擁有 EPI 設計、晶圓工藝和 FET 裸片設計的垂直整合。
可設計性：提供知名的行業標準封裝和性能封裝，同時與全球知名的頭部技術企業合作，實現更便捷、更快速的系統開發。
可驅動性：提供與硅基驅動方式相同，并可以與現成的控制器和驅動器配對，同時只需要極少外部電路的器件。
可靠性：從低功率到高功率的各種應用情景下總計現場運行超過 1250 億小時，當前 FIT 率 < 0.05，處于行業領先地位。
歡迎來訪
如需安排在展會期間與 Transphorm 人員會面，請訪問?vipin.bothra@transphormusa.com。
關于 Transphorm
Transphorm 公司是 GaN 革命的全球領導者，為高電壓功率轉換應用設計和制造高性能、高可靠的 GaN 半導體。Transphorm 擁有最大的功率 GaN 知識產權組合之一，其自有或許可專利高達 1000 多項，生產了業界首款符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標準的高壓 GaN 半導體器件。公司憑借垂直整合器件業務模式能夠在每個開發階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm 的創新使電力電子技術超越了硅基的限制，效率提高到 99% 以上，功率密度提高了 50%，系統成本降低了 20%。Transphorm 的總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需更多信息，請訪問?www.transphormusa.com。歡迎關注我們的 Twitter?@transphormusa和微信公眾號 @Transphorm_GaN。
在 businesswire.com 上查看源版本新聞稿:?https://www.businesswire.com/news/home/20230419005373/zh-CN/
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