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國(guó)際首次!錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至8.3%


(資料圖)

記者4日從南京工業(yè)大學(xué)獲悉,中國(guó)科學(xué)院院士黃維帶領(lǐng)南工大柔性電子(未來(lái)技術(shù))學(xué)院王建浦教授研究團(tuán)隊(duì)在環(huán)境友好型鈣鈦礦發(fā)光二極管方面取得重大突破,在國(guó)際上首次將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至8.3%。相關(guān)成果發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·光子學(xué)》。

有無(wú)添加劑的錫基鈣鈦礦薄膜在旋涂過(guò)程中的原位熒光光譜,以及結(jié)晶生長(zhǎng)示意圖。受訪者供圖

“金屬鹵化物鈣鈦礦材料具有優(yōu)異的光電性質(zhì)和可溶液加工特性,在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、光電探測(cè)器等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。然而,高效鈣鈦礦發(fā)光二極管目前仍以環(huán)境不太友好的鉛基鈣鈦礦為主,這會(huì)限制其實(shí)際應(yīng)用?!闭撐耐ㄓ嵶髡摺⒛暇┕I(yè)大學(xué)柔性電子(未來(lái)技術(shù))學(xué)院王娜娜教授說(shuō),近年來(lái),團(tuán)隊(duì)一直致力于開(kāi)發(fā)環(huán)境友好的錫基鈣鈦礦材料,通過(guò)反溶劑輔助結(jié)晶、溶劑氛圍調(diào)控結(jié)晶等方法來(lái)改善錫基鈣鈦礦的薄膜質(zhì)量,相繼將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的外量子效率提高到3%和5.3%,但是器件性能仍遠(yuǎn)低于鉛基器件,這主要是由于錫基鈣鈦礦的結(jié)晶速度過(guò)快導(dǎo)致形成的薄膜缺陷態(tài)較多,而缺陷態(tài)往往是發(fā)光猝滅中心,使得器件發(fā)光效率難以提升。

為了解決這個(gè)世界難題,該團(tuán)隊(duì)通過(guò)原位光譜表征技術(shù),發(fā)現(xiàn)錫基鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)初期(10秒內(nèi))晶粒的快速聚集是缺陷態(tài)形成的主要原因。團(tuán)隊(duì)另辟思路,摒棄原先“邊制膜邊完善”的思路,直接從源頭即錫基鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)初期進(jìn)行干預(yù)。

“如果將錫基鈣鈦礦薄膜比作一張煎餅,那么,原先的反溶劑輔助結(jié)晶方法就像是在一張不均勻攤制而成的‘煎餅’上附加作用力,讓‘煎餅’更平整;溶劑氛圍調(diào)控結(jié)晶方法則是通過(guò)控制環(huán)境讓‘煎餅’更均勻。”論文共同第一作者、南京工業(yè)大學(xué)副教授常進(jìn)介紹,團(tuán)隊(duì)嘗試在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中引入與碘化亞錫等組分有強(qiáng)化學(xué)作用的一類添加劑,有效抑制鈣鈦礦晶粒的快速聚集,減少鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)過(guò)程中發(fā)光猝滅中心的形成,使得晶粒更加有序地“集結(jié)”。

研究發(fā)現(xiàn),基于這一方法構(gòu)筑的錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件外量子效率達(dá)到8.3%,是目前錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的最高效率,為實(shí)現(xiàn)更高性能的錫基鈣鈦礦光電器件提供了全新的思路和途徑。

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